Name: IPF012N06NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPF012N06NF2SATMA1TR-ND
Price: 8.07 CAD
Availability: InStock

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IPF012N06NF2SATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPF012N06NF2SATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPF012N06NF2SATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPF012N06NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPF012N06NF2SATMA1
Description	TRENCH 40<-<100V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 41A (Ta), 282A (Tc) 3,8W (Ta), 250W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7-U02
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,3V à 186µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 233 nC @ 10 V
Série StrongIRFET™2	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 10500 pF @ 30 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3,8W (Ta), 250W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur PG-TO263-7-U02
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 41A (Ta), 282A (Tc)	Boîtier TO-263-7, D2PAK (6 sorties + languette)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base IPF012
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,2mohms à 100A, 10V

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Conditionnement standard du fabricant

IPF012N06NF2SATMA1