IRF60B217 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

IRF60B217 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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STMicroelectronics

En stock: 928

Prix unitaire : 4,88000 $

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IRF60B217
Numéro de produit DigiKey	IRF60B217-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF60B217
Description	MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 60 A (Tc) 83W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF60B217 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,7V à 50µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 66 nC @ 10 V
Série StrongIRFET™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2230 pF @ 25 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 83W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur TO-220AB
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 60 A (Tc)	Boîtier TO-220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base IRF60B217
Rds On (max.) à Id, Vgs 9mohms à 36A, 10V