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Canal N 55 V 110 A (Tc) 200W (Tc) Trou traversant TO-220AB
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IRF3205PBF

Numéro de produit DigiKey
IRF3205PBF-ND
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IRF3205PBF
Description
MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
35 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 55 V 110 A (Tc) 200W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IRF3205PBF Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
HEXFET®
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
55 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
110 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
8mohms à 62A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
146 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3247 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
200W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220AB
Boîtier
TO-220-3
Numéro de produit de base
IRF3205
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0 en stock
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
13,65000 $3,65 $
501,76540 $88,27 $
1001,58210 $158,21 $
5001,26014 $630,07 $
1 0001,15662 $1 156,62 $
2 0001,06957 $2 139,14 $
5 0001,03551 $5 177,55 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
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