Name: IRF1018EPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF1018EPBF-ND
Price: 2.49 CAD
Availability: InStock

Canal N 60 V 79 A (Tc) 110W (Tc) Trou traversant TO-220AB

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IRF1018EPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF1018EPBF-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF1018EPBF
Description	MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	28 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 79 A (Tc) 110W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF1018EPBF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 100µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 69 nC @ 10 V
Série HEXFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2290 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 110W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur TO-220AB
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 79 A (Tc)	Boîtier TO-220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IRF1018
Rds On (max.) à Id, Vgs 8,4mohms à 47A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 4 688

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	2,49000 $	2,49 $
10	1,57900 $	15,79 $
100	1,05110 $	105,11 $
500	0,82456 $	412,28 $
1 000	0,75167 $	751,67 $
2 000	0,69033 $	1 380,66 $
5 000	0,62397 $	3 119,85 $
10 000	0,58297 $	5 829,70 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.

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