Haut potentiel, bas potentiel Circuit d’attaque de porte IC Inverseur 8-PDIP
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IR2011PBF

Numéro de produit DigiKey
IR2011PBF-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IR2011PBF
Description
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8DIP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
26 semaines
Référence client
Description détaillée
Haut potentiel, bas potentiel Circuit d’attaque de porte IC Inverseur 8-PDIP
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IR2011PBF Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Tension logique - VIL, VIH
0,7V, 2,2V
Fabricant
Infineon Technologies
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
1A, 1A
Conditionnement
Tube
Type d'entrée
Inverseur
Statut du composant
Actif
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
200 V
Programmable DigiKey
Non vérifié
Temps de montée / descente (typ.)
35ns, 20ns
Configuration
Haut potentiel, bas potentiel
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de canal
Indépendant
Type de montage
Trou traversant
Nombre de circuits d'attaque
2
Boîtier
8-DIP (0,300po, 7,62mm)
Type de grille
MOSFET (canal N)
Boîtier fournisseur
8-PDIP
Tension - Alimentation
10V ~ 20V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 2 542
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Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
15,85000 $5,85 $
104,41700 $44,17 $
503,83920 $191,96 $
1003,66010 $366,01 $
2503,47116 $867,79 $
5003,35722 $1 678,61 $
1 0003,26345 $3 263,45 $
2 5003,16444 $7 911,10 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.