Circuits d'attaque de grille

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Programmable DigiKey
Configuration
Type de canal
Nombre de circuits d'attaque
Type de grille
Tension - Alimentation
Tension logique - VIL, VIH
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
Type d'entrée
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
Temps de montée / descente (typ.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
SOT-23-6
ZXGD3009E6TA
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26
Diodes Incorporated
1 048
En stock
1 : 0,51000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,21049 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
MOSFET (canal N)
40V (maxi)
-
1A, 1A
Sans inversion
-
210ns, 240ns
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SOT-23-6
SOT-26
8-DFN
NCP81151MNTBG
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN
onsemi
16 533
En stock
363 000
Usine
1 : 0,62000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,25577 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Demi-pont
Synchrone
2
MOSFET (canal N)
4,5V ~ 5,5V
0,6V, 3,3V
-
Sans inversion
40 V
16ns, 11ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-VFDFN plot exposé
8-DFN (2x2)
SOT-23-6
ZXGD3006E6TA
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26
Diodes Incorporated
2 955
En stock
1 : 0,79000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,34512 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET SiC
40V (maxi)
-
10A, 10A
Sans inversion
-
48ns, 35ns
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-6
SOT-26
PG-SOT23-6-2
1EDN8511BXUSA1
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Infineon Technologies
6 749
En stock
1 : 0,95000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,42097 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
FET GaN, MOSFET (canal N)
8V ~ 20V
1,2V, 1,9V
4A, 8A
Avec inversion, Sans inversion
200 V
6,5ns, 4,5ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-6
PG-SOT23-6-2
SOT-23-5
FAN3111ESX
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
onsemi
44 787
En stock
1 : 1,06000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,46657 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
MOSFET (canal N)
4,5V ~ 18V
-
1,4A, 1,4A
Sans inversion
-
9ns, 8ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SC-74A, SOT-753
IRS44273LTRPBF
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Infineon Technologies
8 368
En stock
1 : 1,07000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,48478 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N)
10,2V ~ 20V
0,8V, 2,5V
1,5A, 1,5A
Sans inversion
-
25ns, 25ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
PG-SOT23-6-1
1EDN7550BXTSA1
IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6
Infineon Technologies
6 975
En stock
1 : 1,07000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,48543 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Haut potentiel, bas potentiel
Simple
1
FET GaN, MOSFET (canal N)
4,5V ~ 20V
-
4A, 8A
Sans inversion
200 V
6,5ns, 4,5ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-6
PG-SOT23-6
PG-SOT23-6-1
IRS10752LTRPBF
IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6
Infineon Technologies
14 898
En stock
1 : 1,10000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,50333 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Haut potentiel
Simple
1
MOSFET (canal N)
10V ~ 18V
0,8V, 2,2V
160 mA, 240 mA
Sans inversion
100 V
85ns, 40ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-6
PG-SOT23-6
SOT-23-5
MCP1416T-E/OT
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
32 091
En stock
1 : 1,15000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,86953 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N, canal P)
4,5V ~ 18V
0,8V, 2,4V
1,5A, 1,5A
Sans inversion
-
20ns, 20ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT-23-5
MCP1416RT-E/OT
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
13 926
En stock
1 : 1,15000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,86953 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N, canal P)
4,5V ~ 18V
0,8V, 2,4V
1,5A, 1,5A
Sans inversion
-
20ns, 20ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
24-VFQFN Exposed Pad
DRV8300NRGER
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 24VFQFN
Texas Instruments
10 872
En stock
1 : 1,15000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,52475 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Haut potentiel, bas potentiel
3 phases
3
MOSFET (canal N)
5V ~ 20V
0,8V, 2V
750mA, 1,5A
Avec inversion, Sans inversion
105 V
12ns, 12ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
Montage en surface
24-VFQFN plot exposé
24-VQFN (4x4)
SOT-23-5
MCP1402T-E/OT
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
27 490
En stock
1 : 1,16000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,92310 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N, canal P)
4,5V ~ 18V
0,8V, 2,4V
500mA, 500mA
Sans inversion
-
19ns, 15ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT-23-5
MCP1415T-E/OT
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
12 303
En stock
1 : 1,16000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,86954 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N, canal P)
4,5V ~ 18V
0,8V, 2,4V
1,5A, 1,5A
Inverseur
-
20ns, 20ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT-23-5
MCP1401T-E/OT
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
9 238
En stock
1 : 1,16000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,88506 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N, canal P)
4,5V ~ 18V
0,8V, 2,4V
500mA, 500mA
Inverseur
-
19ns, 15ns
-40°C ~ 125°C
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
2EDN7524FXTMA1
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Infineon Technologies
11 608
En stock
1 : 1,27000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,59139 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Pas pour les nouvelles conceptions
Non vérifié
Bas potentiel
Indépendant
2
MOSFET (canal N)
4,5V ~ 20V
-
5A, 5A
Sans inversion
-
5,3ns, 4,5ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
PG-DSO-8-60
24-VFQFN Exposed Pad
DRV8300DRGER
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 24VFQFN
Texas Instruments
35 899
En stock
1 : 1,29000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,59526 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Haut potentiel, bas potentiel
3 phases
3
MOSFET (canal N)
5V ~ 20V
0,8V, 2V
750mA, 1,5A
Avec inversion, Sans inversion
105 V
12ns, 12ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
Montage en surface
24-VFQFN plot exposé
24-VQFN (4x4)
IX4310TTR
IX4310TTR
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
IXYS Integrated Circuits Division
8 933
En stock
9 000
Usine
1 : 1,30000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,60670 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Indépendant
1
MOSFET (canal N, canal P)
4,5V ~ 20V
0,8V, 2,5V
2A, 2A
CMOS, TTL
-
7ns, 7ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT-753
UCC27517DBVR
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Texas Instruments
20 376
En stock
1 : 1,34000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,62165 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N)
4,5V ~ 18V
1V, 2,4V
4A, 4A
Avec inversion, Sans inversion
-
8ns, 7ns
-40°C ~ 140°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
8 SOIC
LM5109BMAX/NOPB
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Texas Instruments
61 495
En stock
1 : 1,35000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,62140 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Demi-pont
Indépendant
2
MOSFET (canal N)
8V ~ 14V
0,8V, 2,2V
1A, 1A
Sans inversion
108 V
15ns, 15ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
8-SOIC
IRS25411STRPBF
IRS2008STRPBF
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Infineon Technologies
22 783
En stock
1 : 1,35000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,63077 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Demi-pont
Synchrone
2
MOSFET (canal N)
10V ~ 20V
0,8V, 2,5V
290 mA, 600 mA
Sans inversion
200 V
70ns, 30ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
8-SOIC
SOT-23-5
FAN3111CSX
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
onsemi
13 188
En stock
1 : 1,37000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,61293 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
MOSFET (canal N)
4,5V ~ 18V
-
1,4A, 1,4A
Avec inversion, Sans inversion
-
9ns, 8ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT-23-5
FAN3100TSX
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
onsemi
6 619
En stock
1 : 1,51000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,68238 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
MOSFET (canal N)
4,5V ~ 18V
0,8V, 2V
3A, 3A
Avec inversion, Sans inversion
-
13ns, 9ns
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
4-TQFN (1.2x1.2)
MIC5019YFT-TR
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 4TQFN
Microchip Technology
36 481
En stock
1 : 1,57000 $
Bande coupée (CT)
5 000 : 1,24219 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Haut potentiel
Simple
1
MOSFET (canal N)
2,7V ~ 9V
0,8V, 3V
-
Sans inversion
-
-
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montage en surface
4-UDFN plot exposé, 4-TMLF®
4-TQFN (1,2x1,2)
7 624
En stock
1 : 1,68000 $
Bande coupée (CT)
2 000 : 0,80625 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Indépendant
2
MOSFET (canal N, canal P)
4,5V ~ 30V
0,8V, 2,4V
1,5A, 1,5A
Sans inversion
-
10ns, 8ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
Montage en surface
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
8-SOIC
PG-WSON-8-1
2EDN7524GXTMA1
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8WSON
Infineon Technologies
7 946
En stock
1 : 1,69000 $
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,79623 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Indépendant
2
FET GaN, MOSFET (canal N)
4,5V ~ 20V
-
5A, 5A
Sans inversion
20 V
5,3ns, 4,5ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-WDFN plot exposé
PG-WSON-8-1
Affichage de
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Circuits d'attaque de grille

Les circuits intégrés de gestion de l'alimentation (PMIC) de circuits d'attaque de grille sont des dispositifs qui fournissent l'isolement, l'amplification, le décalage de référence, l'amorçage ou d'autres fonctions nécessaires pour interfacer les signaux d'un dispositif de commande dans une application de conversion de puissance avec les dispositifs à semi-conducteurs (généralement des FET ou des IGBT) par lesquels passe la puissance commandée. Les fonctions exactes offertes par un dispositif particulier varient, mais correspondent à la configuration des semi-conducteurs qu'il est adapté à commander.