Haut potentiel, bas potentiel Circuit d’attaque de porte IC Inverseur 8-SOIC
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IR2011SPBF

Numéro de produit DigiKey
IR2011SPBF-ND
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IR2011SPBF
Description
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
33 semaines
Référence client
Description détaillée
Haut potentiel, bas potentiel Circuit d’attaque de porte IC Inverseur 8-SOIC
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IR2011SPBF Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Programmable DigiKey
Non vérifié
Configuration
Haut potentiel, bas potentiel
Type de canal
Indépendant
Nombre de circuits d'attaque
2
Type de grille
MOSFET (canal N)
Tension - Alimentation
10V ~ 20V
Tension logique - VIL, VIH
0,7V, 2,2V
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
1A, 1A
Type d'entrée
Inverseur
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
200 V
Temps de montée / descente (typ.)
35ns, 20ns
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur
8-SOIC
Numéro de produit de base
IR2011
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En stock: 4 921
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
13,06000 $3,06 $
102,24800 $22,48 $
951,82895 $173,75 $
1901,74479 $331,51 $
2851,70256 $485,23 $
5701,64070 $935,20 $
1 0451,59562 $1 667,42 $
2 5651,54148 $3 953,90 $
5 0351,50892 $7 597,41 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
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