Canal N 100 V 35A (Ta), 315A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8-10
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IPT015N10NF2SATMA1

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448-IPT015N10NF2SATMA1TR-ND - Bande et bobine
448-IPT015N10NF2SATMA1CT-ND - Bande coupée (CT)
448-IPT015N10NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer
Infineon Technologies
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IPT015N10NF2SATMA1
cms-description
MOSFET
cms-standard-lead-time
8 semaines
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Canal N 100 V 35A (Ta), 315A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8-10
Fiche technique
 Fiche technique
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IPT015N10NF2SATMA1 Modèles
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cms-type
cms-description
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cms-category
Fabricant
Infineon Technologies
Série
StrongIRFET™ 2
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
35A (Ta), 315A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,5mohms à 150A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3,8V à 267µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
242 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
11000 pF @ 50 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3,8W (Ta), 300W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PG-HSOF-8-10
Boîtier
8-PowerSFN
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En stock: 1 744
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cms-quantity
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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
cms-quantityPrix unitaire cms-ext-price
16,72000 $6,72 $
104,44300 $44,43 $
1003,14580 $314,58 $
5002,90888 $1 454,44 $
* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 9,50 $.
Bande et bobine
cms-quantityPrix unitaire cms-ext-price
1 8002,37655 $4 277,79 $
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