Name: IPT015N10NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT015N10NF2SATMA1TR-ND
Price: 7.44 CAD
Availability: InStock

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IPT015N10NF2SATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPT015N10NF2SATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPT015N10NF2SATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPT015N10NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPT015N10NF2SATMA1
Description	MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 35A (Ta), 315A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8-10
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPT015N10NF2SATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 1,5mohms à 150A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 267µA
Série StrongIRFET™ 2	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 242 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 11000 pF @ 50 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3,8W (Ta), 300W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 35A (Ta), 315A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-HSOF-8-10
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier 8-PowerSFN