Name: IPT017N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT017N12NM6ATMA1TR-ND
Price: 10.01 CAD
Availability: InStock

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IPT017N12NM6ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPT017N12NM6ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPT017N12NM6ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPT017N12NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPT017N12NM6ATMA1
Description	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 120 V 29A (Ta), 331A (Tc) 3W (Ta), 395W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,6V à 275µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 141 nC @ 10 V
Série OptiMOS™ 6	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 11000 pF @ 60 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta), 395W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 120 V	Boîtier fournisseur PG-HSOF-8
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 29A (Ta), 331A (Tc)	Boîtier 8-PowerSFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 8V, 10V	Numéro de produit de base IPT017
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,7mohms à 150A, 10V