IPP80N06S407AKSA2 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

IPP80N06S407AKSA2 est obsolète et n'est plus fabriqué.

Substituts disponibles:

Similaire

onsemi

En stock: 3 943

Prix unitaire : 6,07000 $

Similaire

IXYS

En stock: 14

Prix unitaire : 8,19000 $

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IPP80N06S407AKSA2
Numéro de produit DigiKey	IPP80N06S407AKSA2-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPP80N06S407AKSA2
Description	MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 80 A (Tc) 79W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPP80N06S407AKSA2 Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 56 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série OptiMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4500 pF @ 25 V
Conditionnement Tube	Dissipation de puissance (max.) 79W (Tc)
Statut du composant Obsolète	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 80 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO220-3-1
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-220-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 7,4mohms à 80A, 10V	Numéro de produit de base IPP80N06
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 40µA