IPP80N06S208AKSA2 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

IPP80N06S208AKSA2 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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IPP80N06S208AKSA2
Numéro de produit DigiKey	IPP80N06S208AKSA2-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPP80N06S208AKSA2
Description	MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 55 V 80 A (Tc) 215W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3-1
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 96 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série OptiMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2860 pF @ 25 V
Conditionnement Tube	Dissipation de puissance (max.) 215W (Tc)
Statut du composant Obsolète	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 55 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 80 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO220-3-1
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-220-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 8mohms à 58A, 10V	Numéro de produit de base IPP80N06
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 150µA

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Substituts (3)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IPP100N06S2L05AKSA2	Infineon Technologies	376	IPP100N06S2L05AKSA2-ND	8,19000 $	Recommandation fabricant
DMNH6008SCTQ	Diodes Incorporated	0	DMNH6008SCTQDI-ND	4,42000 $	Similaire
STP80NF70	STMicroelectronics	171	497-10964-5-ND	4,65000 $	Similaire

Obsolète

Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.

IPP80N06S208AKSA2