Name: IPP65R190CFD7AAKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP65R190CFD7AAKSA1-ND
Price: 6.22 CAD
Availability: InStock

Canal N 650 V 14 A (Tc) 77W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3

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IPP65R190CFD7AAKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPP65R190CFD7AAKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPP65R190CFD7AAKSA1
Description	MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 14 A (Tc) 77W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPP65R190CFD7AAKSA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 28 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série CoolMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1291 pF @ 400 V
Conditionnement Tube	Dissipation de puissance (max.) 77W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 14 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO220-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 190mohms à 6,4A, 10V	Boîtier TO-220-3
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 320µA	Numéro de produit de base IPP65R190

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 49

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	6,22000 $	6,22 $
50	3,15000 $	157,50 $
100	2,85280 $	285,28 $
500	2,33192 $	1 165,96 $
1 000	2,16458 $	2 164,58 $
2 000	2,02395 $	4 047,90 $
5 000	1,92741 $	9 637,05 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.

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