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IPP65R150CFDXKSA2 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-IPP65R150CFDXKSA2-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPP65R150CFDXKSA2 |
Description | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 27 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPP65R150CFDXKSA2 Modèles |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 900µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 86 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2340 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 195,3W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO220-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 150mohms à 9,3A, 10V |
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| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP190N60-GF102 | onsemi | 0 | FCP190N60-GF102-ND | 0,00000 $ | Direct |
| FCP16N60N | onsemi | 0 | FCP16N60N-ND | 0,00000 $ | Similaire |
| SIHP22N60EL-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP22N60EL-GE3-ND | 2,86839 $ | Similaire |
| SIHP24N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP24N65E-GE3-ND | 10,60000 $ | Similaire |
| SIHP25N60EFL-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP25N60EFL-GE3-ND | 9,21000 $ | Similaire |
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Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 7,08000 $ | 7,08 $ |
| 50 | 3,62660 $ | 181,33 $ |
| 100 | 3,29250 $ | 329,25 $ |
| 500 | 2,70728 $ | 1 353,64 $ |
| 1 000 | 2,51930 $ | 2 519,30 $ |
| 2 000 | 2,36133 $ | 4 722,66 $ |
| 5 000 | 2,29702 $ | 11 485,10 $ |
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