Équivalent paramétrique
Équivalent paramétrique
Équivalent paramétrique
Direct
Similaire
Similaire
Similaire
Similaire
Similaire

IPP65R150CFDXKSA2 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-IPP65R150CFDXKSA2-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPP65R150CFDXKSA2 |
Description | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 15 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPP65R150CFDXKSA2 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 650 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 150mohms à 9,3A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4,5V à 900µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 86 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 2340 pF @ 100 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 195,3W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Trou traversant | |
Boîtier fournisseur | PG-TO220-3 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 6,22000 $ | 6,22 $ |
| 50 | 3,18180 $ | 159,09 $ |
| 100 | 2,88870 $ | 288,87 $ |
| 500 | 2,37520 $ | 1 187,60 $ |
| 1 000 | 2,22303 $ | 2 223,03 $ |




















