
IPP65R150CFDAAKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPP65R150CFDAAKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPP65R150CFDAAKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPP65R150CFDAAKSA1 Modèles |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 86 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2340 pF @ 100 V |
Conditionnement Tube | Dissipation de puissance (max.) 195,3W (Tc) |
Statut du composant Obsolète | Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur PG-TO220-3 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 150mohms à 9,3A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 900µA |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP65R145CFD7AAKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP65R145CFD7AAKSA1-ND | 3,10862 $ | Recommandation fabricant |
| FCP165N60E | onsemi | 1 034 | FCP165N60E-ND | 8,01000 $ | Similaire |
| SIHP18N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP18N60E-GE3-ND | 2,65632 $ | Similaire |
| SIHP22N60E-E3 | Vishay Siliconix | 861 | 742-SIHP22N60E-E3-ND | 8,18000 $ | Similaire |
| STP24N60M2 | STMicroelectronics | 0 | 497-13556-5-ND | 5,71000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 8,44000 $ | 8,44 $ |
| 50 | 4,39480 $ | 219,74 $ |
| 100 | 4,00360 $ | 400,36 $ |



