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IPP60R099C7XKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-IPP60R099C7XKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPP60R099C7XKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 35 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 22 A (Tc) 110W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3-1 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPP60R099C7XKSA1 Modèles |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 490µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 42 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1819 pF @ 400 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 110W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur PG-TO220-3-1 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 99mohms à 9,7A, 10V |
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Substituts (2)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP099N65S3 | onsemi | 453 | FCP099N65S3-ND | 10,09000 $ | Similaire |
| SIHP30N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP30N60E-GE3-ND | 10,98000 $ | Similaire |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 9,52000 $ | 9,52 $ |
| 50 | 5,00960 $ | 250,48 $ |
| 100 | 4,57400 $ | 457,40 $ |
| 500 | 3,81156 $ | 1 905,78 $ |
| 1 000 | 3,56683 $ | 3 566,83 $ |
| 2 000 | 3,42128 $ | 6 842,56 $ |
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