Name: IPP200N15N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP200N15N3GXKSA1-ND
Price: 5.51 CAD
Availability: InStock

Canal N 150 V 50 A (Tc) 150W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3

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IPP200N15N3GXKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPP200N15N3GXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPP200N15N3GXKSA1
Description	MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	25 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 150 V 50 A (Tc) 150W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPP200N15N3GXKSA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 90µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 31 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1820 pF @ 75 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 150W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 150 V	Boîtier fournisseur PG-TO220-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 50 A (Tc)	Boîtier TO-220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 8V, 10V	Numéro de produit de base IPP200
Rds On (max.) à Id, Vgs 20mohms à 50A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	5,51000 $	5,51 $
50	2,76140 $	138,07 $
100	2,49490 $	249,49 $
500	2,02812 $	1 014,06 $
1 000	1,87812 $	1 878,12 $
2 000	1,75204 $	3 504,08 $
5 000	1,63421 $	8 171,05 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.

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