Name: IPP050N03LF2SAKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP050N03LF2SAKSA1-ND
Price: 2.03 CAD
Availability: InStock

Canal N 30 V 21A (Ta), 53A (Tc) 3,8W (Ta), 65W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3-U05

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IPP050N03LF2SAKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPP050N03LF2SAKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPP050N03LF2SAKSA1
Description	MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	30 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 21A (Ta), 53A (Tc) 3,8W (Ta), 65W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3-U05
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPP050N03LF2SAKSA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 4,95mohms à 30A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 2,35V à 30µA
Série StrongIRFET™	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 32 nC @ 10 V
Conditionnement Tube	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1400 pF @ 15 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3,8W (Ta), 65W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 21A (Ta), 53A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO220-3-U05
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier TO-220-3

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	2,03000 $	2,03 $
10	1,27200 $	12,72 $
100	0,83240 $	83,24 $
500	0,64304 $	321,52 $
1 000	0,58204 $	582,04 $
2 000	0,53068 $	1 061,36 $
5 000	0,47509 $	2 375,45 $
10 000	0,44074 $	4 407,40 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.

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