Name: IPP029N06NAKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP029N06NAKSA1-ND
Price: 6.52 CAD
Availability: InStock

Canal N 60 V 24 A (Ta), 100 A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3

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IPP029N06NAKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPP029N06NAKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPP029N06NAKSA1
Description	MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 24 A (Ta), 100 A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPP029N06NAKSA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,8V à 75µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 56 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4100 pF @ 30 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta), 136W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur PG-TO220-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 24 A (Ta), 100 A (Tc)	Boîtier TO-220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base IPP029
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,9mohms à 100A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	6,52000 $	6,52 $
50	3,26700 $	163,35 $
100	2,95200 $	295,20 $
500	2,39964 $	1 199,82 $
1 000	2,22217 $	2 222,17 $
2 000	2,07301 $	4 146,02 $
5 000	1,91173 $	9 558,65 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.

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