Name: IPP023N10N5AKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP023N10N5AKSA1-ND
Price: 3.09954 CAD
Availability: OutOfStock

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IPP023N10N5XKSA1

Infineon Technologies

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Prix unitaire : 7,82000 $

Fiche technique

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IPP023N10N5AKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPP023N10N5AKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPP023N10N5AKSA1
Description	MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 120 A (Tc) 375W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPP023N10N5AKSA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,3mohms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,8V à 270µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	210 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	15600 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	375W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO220-3
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	IPP023

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
500	3,09954 $	1 549,77 $

Conditionnement standard du fabricant

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