Name: IPP020N06NAKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP020N06NAKSA1-ND
Price: 7.25 CAD
Availability: InStock

Canal N 60 V 29 A (Ta), 120 A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3

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IPP020N06NAKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPP020N06NAKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPP020N06NAKSA1
Description	MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 29 A (Ta), 120 A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPP020N06NAKSA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,8V à 143µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 106 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7800 pF @ 30 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta), 214W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur PG-TO220-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 29 A (Ta), 120 A (Tc)	Boîtier TO-220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base IPP020
Rds On (max.) à Id, Vgs 2mohms à 100A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	7,25000 $	7,25 $
50	3,72820 $	186,41 $
100	3,38650 $	338,65 $
500	2,78764 $	1 393,82 $
1 000	2,59537 $	2 595,37 $
2 000	2,43376 $	4 867,52 $
5 000	2,37711 $	11 885,55 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.

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