



IPI60R125CPXKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPI60R125CPXKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPI60R125CPXKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 650V 25A TO262-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 25 A (Tc) 208W (Tc) Trou traversant PG-TO262-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPI60R125CPXKSA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 1,1mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 70 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2500 pF @ 100 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 208W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO262-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 125mohms à 16A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| STI33N60M2 | STMicroelectronics | 0 | 497-15016-5-ND | 2,50050 $ | Similaire |
| XP60SL115DR | YAGEO XSEMI | 988 | 5048-XP60SL115DR-ND | 6,87000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 11,43000 $ | 11,43 $ |
| 50 | 6,03380 $ | 301,69 $ |
| 100 | 5,51220 $ | 551,22 $ |
| 500 | 4,59908 $ | 2 299,54 $ |
| 1 000 | 4,30599 $ | 4 305,99 $ |
| 2 000 | 4,05972 $ | 8 119,44 $ |









