Canal N 600 V 28 A (Tc) 2W (Ta), 178W (Tc) Trou traversant TO-262
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Canal N 600 V 28 A (Tc) 2W (Ta), 178W (Tc) Trou traversant TO-262
YAGEO XSemi N- and P-Channel Power MOSFETs PIO | DigiKey

XP60SL115DR

Numéro de produit DigiKey
5048-XP60SL115DR-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
XP60SL115DR
Description
MOSFET N-CH 600V 28A TO262
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 28 A (Tc) 2W (Ta), 178W (Tc) Trou traversant TO-262
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Rds On (max.) à Id, Vgs
115mohms à 9,6A, 10V
Fabricant
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 250µA
Série
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
145 nC @ 10 V
Conditionnement
Tube
Vgs (max.)
±20V
Statut du composant
Actif
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
5120 pF @ 100 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta), 178W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Type de montage
Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
TO-262
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Boîtier
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 988
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Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
16,87000 $6,87 $
503,53300 $176,65 $
1003,21000 $321,00 $
5002,97944 $1 489,72 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.