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Infineon Technologies
En stock: 2 486
Prix unitaire : 3,47000 $
Fiche technique

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STMicroelectronics
En stock: 0
Prix unitaire : 2,77000 $
Fiche technique
Canal N 800 V 3,9 A (Tc) 63W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11
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IPD80R1K4CEBTMA1

Numéro de produit DigiKey
IPD80R1K4CEBTMA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IPD80R1K4CEBTMA1
Description
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 800 V 3,9 A (Tc) 63W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
3,9V à 240µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
23 nC @ 10 V
Série
Vgs (max.)
±20V
Conditionnement
Bande et bobine
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
570 pF @ 100 V
Statut du composant
En fin de cycle chez DigiKey
Dissipation de puissance (max.)
63W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Montage en surface
Tension drain-source (Vdss)
800 V
Boîtier fournisseur
PG-TO252-3-11
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,4ohms à 2,3A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (2)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
IPD80R1K4CEATMA1Infineon Technologies2 486IPD80R1K4CEATMA1CT-ND3,47000 $Direct
STD5N60M2STMicroelectronics0497-14982-1-ND2,77000 $Similaire
En stock: 0
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