


IPD80R1K4CEATMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPD80R1K4CEATMA1TR-ND - Bande et bobine IPD80R1K4CEATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPD80R1K4CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPD80R1K4CEATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 800 V 3,9 A (Tc) 63W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPD80R1K4CEATMA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 240µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 23 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 570 pF @ 100 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 63W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 800 V | Boîtier fournisseur PG-TO252-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,4ohms à 2,3A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| STD5N62K3 | STMicroelectronics | 1 909 | 497-10778-1-ND | 2,93000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,47000 $ | 3,47 $ |
| 10 | 2,20100 $ | 22,01 $ |
| 100 | 1,47750 $ | 147,75 $ |
| 500 | 1,16788 $ | 583,94 $ |
| 1 000 | 1,06824 $ | 1 068,24 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,96042 $ | 2 401,05 $ |
| 5 000 | 0,89380 $ | 4 469,00 $ |
| 7 500 | 0,85987 $ | 6 449,03 $ |
| 12 500 | 0,82176 $ | 10 272,00 $ |
| 17 500 | 0,79920 $ | 13 986,00 $ |








