
IPD35N10S3L26ATMA2 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-IPD35N10S3L26ATMA2TR-ND - Bande et bobine 448-IPD35N10S3L26ATMA2CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPD35N10S3L26ATMA2DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPD35N10S3L26ATMA2 |
Description | MOSFET_(75V 120V( |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 18 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 35 A (Tc) 71W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPD35N10S3L26ATMA2 Modèles |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 39 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2700 pF @ 25 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 71W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Grade Automobile |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Qualification AEC-Q101 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Type de montage Montage en surface |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Boîtier fournisseur PG-TO252-3-11 |
Rds On (max.) à Id, Vgs 24mohms à 35A, 10V | Boîtier |
Vgs(th) (max.) à Id 2,4V à 39µA |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD35N10S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | 2 204 | IPD35N10S3L26ATMA1CT-ND | 4,30000 $ | Équivalent paramétrique |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 4,30000 $ | 4,30 $ |
| 10 | 2,76100 $ | 27,61 $ |
| 100 | 1,87490 $ | 187,49 $ |
| 500 | 1,49574 $ | 747,87 $ |
| 1 000 | 1,37383 $ | 1 373,83 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 500 | 1,24192 $ | 3 104,80 $ |
| 5 000 | 1,16043 $ | 5 802,15 $ |
| 7 500 | 1,11894 $ | 8 392,05 $ |
| 12 500 | 1,07233 $ | 13 404,12 $ |


