Canal N 100 V 35 A (Tc) 71W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11
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IPD35N10S3L26ATMA1

Numéro de produit DigiKey
IPD35N10S3L26ATMA1TR-ND - Bande et bobine
IPD35N10S3L26ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT)
IPD35N10S3L26ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IPD35N10S3L26ATMA1
Description
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31
Référence client
Description détaillée
Canal N 100 V 35 A (Tc) 71W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IPD35N10S3L26ATMA1 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
OptiMOS™
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
35 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
24mohms à 35A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,4V à 39µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2700 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
71W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PG-TO252-3-11
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base
IPD35N10
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
Quantité Prix unitaire Prix total
13,68000 $3,68 $
102,35400 $23,54 $
1001,59820 $159,82 $
5001,27508 $637,54 $
1 0001,17115 $1 171,15 $
* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 9,50 $.
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2 5001,05870 $2 646,75 $
5 0000,98923 $4 946,15 $
7 5000,95386 $7 153,95 $
12 5000,93630 $11 703,75 $
Conditionnement standard du fabricant
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