Name: IPBE65R099CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPBE65R099CFD7AATMA1TR-ND
Price: 11.77 CAD
Availability: InStock

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IPBE65R099CFD7AATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPBE65R099CFD7AATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPBE65R099CFD7AATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPBE65R099CFD7AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPBE65R099CFD7AATMA1
Description	MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	32 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 24 A (Tc) 127W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7-3-10
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPBE65R099CFD7AATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 53 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série CoolMOS™ CFD7A	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2513 pF @ 400 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 127W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 24 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO263-7-3-10
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-263-7, D2PAK (6 sorties + languette), TO-263CB
Rds On (max.) à Id, Vgs 99mohms à 12,5A, 10V	Numéro de produit de base IPBE65
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 630µA