IPB80N03S4L03ATMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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IPB80N03S4L03ATMA1

Numéro de produit DigiKey
IPB80N03S4L03ATMA1TR-ND - Bande et bobine
IPB80N03S4L03ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IPB80N03S4L03ATMA1
Description
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 80 A (Tc) 94W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IPB80N03S4L03ATMA1 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
3,3mohms à 80A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,2V à 45µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
5100 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
94W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PG-TO263-3-2
Boîtier
Numéro de produit de base
Questions et réponses sur les produits

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Obsolète
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