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IPB65R190CFDATMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IPB65R190CFDATMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPB65R190CFDATMA1TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPB65R190CFDATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 17,5 A (Tc) 151W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPB65R190CFDATMA1 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 730µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 68 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1850 pF @ 100 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 151W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO263-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 190mohms à 7,3 A, 10V |
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Substituts (11)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB65R190CFDATMA2 | Infineon Technologies | 603 | 448-IPB65R190CFDATMA2CT-ND | 6,02000 $ | Recommandation fabricant |
| AOB25S65L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 800 | 785-1539-1-ND | 8,70000 $ | Similaire |
| FCB199N65S3 | onsemi | 578 | 488-FCB199N65S3CT-ND | 7,95000 $ | Similaire |
| IXFA22N65X2 | IXYS | 4 207 | 238-IXFA22N65X2-ND | 10,84000 $ | Similaire |
| SIHB21N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 30 | SIHB21N60EF-GE3-ND | 8,41000 $ | Similaire |
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