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IPB65R110CFDATMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IPB65R110CFDATMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPB65R110CFDATMA1TR-ND - Bande et bobine IPB65R110CFDATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPB65R110CFDATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPB65R110CFDATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 31,2 A (Tc) 277,8W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 1,3mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 118 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3240 pF @ 100 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 277,8W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO263-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 110mohms à 12,7 A, 10V |
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Substituts (10)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB65R110CFDATMA2 | Infineon Technologies | 1 213 | 448-IPB65R110CFDATMA2CT-ND | 11,72000 $ | Équivalent paramétrique |
| FCB110N65F | onsemi | 651 | FCB110N65FCT-ND | 12,81000 $ | Similaire |
| SIHB33N60ET5-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHB33N60ET5-GE3-ND | 4,23521 $ | Similaire |
| STB28N60M2 | STMicroelectronics | 1 905 | 497-14972-1-ND | 4,31000 $ | Similaire |
| STB30N65M5 | STMicroelectronics | 1 041 | 497-10563-1-ND | 11,49000 $ | Similaire |
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