Name: IPB50N10S3L16ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB50N10S3L16ATMA1TR-ND
Price: 5.17 CAD
Availability: OutOfStock

IPB50N10S3L16ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPB50N10S3L16ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPB50N10S3L16ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPB50N10S3L16ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB50N10S3L16ATMA1
Description	MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 50 A (Tc) 100W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
Fiche technique	Fiche technique

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	50 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	15,4mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,4V à 60µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4180 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	100W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO263-3-2
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	IPB50N10

IPB50N10S3L16ATMA1