IPB120N03S4L03ATMA1 Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

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IPB120N03S4L03ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPB120N03S4L03ATMA1-ND - Bande et bobine
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB120N03S4L03ATMA1
Description	MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 120 A (Tc) 79W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3mohms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,2V à 40µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	5300 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	79W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO263-3
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	IPB120