Name: IPB085N15NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB085N15NM6ATMA1TR-ND
Price: 4.58 CAD
Availability: InStock

Nouveau produit

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IPB085N15NM6ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPB085N15NM6ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPB085N15NM6ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPB085N15NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB085N15NM6ATMA1
Description	TRENCH >=100V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 150 V 13,9A (Ta), 90A (Tc) 3,8W (Ta), 158W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPB085N15NM6ATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 6
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	150 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	13,9A (Ta), 90A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	8V, 15V
Rds On (max.) à Id, Vgs	8mohms à 32A, 15V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 73µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	14.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2700 pF @ 75 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,8W (Ta), 158W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO263-3-2
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB