Name: IPB022N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB022N12NM6ATMA1TR-ND
Price: 10.21 CAD
Availability: InStock

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IPB022N12NM6ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPB022N12NM6ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPB022N12NM6ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPB022N12NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB022N12NM6ATMA1
Description	TRENCH >=100V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 120 V 29A (Ta), 167A (Tc) 3,8W (Ta), 395W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPB022N12NM6ATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 6
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	120 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	29A (Ta), 167A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	8V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,2mohms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,6V à 275µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	141 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	11000 pF @ 60 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,8W (Ta), 395W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO263-3-2
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB