Name: IMW120R220M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IMW120R220M1HXKSA1-ND
Price: 12.78 CAD
Availability: OutOfStock

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MSC180SMA120B

Microchip Technology

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Prix unitaire : 13,38000 $

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Canal N 1200 V 13 A (Tc) 75W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-41

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IMW120R220M1HXKSA1
Numéro de produit DigiKey	IMW120R220M1HXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMW120R220M1HXKSA1
Description	SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	54 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 13 A (Tc) 75W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-41
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IMW120R220M1HXKSA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5,7V à 1,6mA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8.5 nC @ 18 V
Série CoolSiC™	Vgs (max.) +23V, -7V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 289 pF @ 800 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 75W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 1200 V	Boîtier fournisseur PG-TO247-3-41
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 13 A (Tc)	Boîtier TO-247-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 18V	Numéro de produit de base IMW120
Rds On (max.) à Id, Vgs 286mohms à 4A, 18V

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Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
MSC180SMA120B	Microchip Technology	134	691-MSC180SMA120B-ND	13,38000 $	Similaire

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	12,78000 $	12,78 $
30	7,31333 $	219,40 $
120	6,10908 $	733,09 $
510	5,22635 $	2 665,44 $
1 020	4,90434 $	5 002,43 $
2 010	4,63906 $	9 324,51 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.

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