Name: IMW120R220M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IMW120R220M1HXKSA1-ND
Price: 10.95 CAD
Availability: InStock

Canal N 1200 V 13 A (Tc) 75W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-41

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IMW120R220M1HXKSA1
Numéro de produit DigiKey	IMW120R220M1HXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMW120R220M1HXKSA1
Description	SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	39 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 13 A (Tc) 75W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-41
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IMW120R220M1HXKSA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5,7V à 1,6mA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8.5 nC @ 18 V
Série CoolSiC™	Vgs (max.) +23V, -7V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 289 pF @ 800 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 75W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 1200 V	Boîtier fournisseur PG-TO247-3-41
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 13 A (Tc)	Boîtier TO-247-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 18V	Numéro de produit de base IMW120
Rds On (max.) à Id, Vgs 286mohms à 4A, 18V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	10,95000 $	10,95 $
30	6,26033 $	187,81 $
120	5,22933 $	627,52 $
510	4,47376 $	2 281,62 $
1 020	4,19810 $	4 282,06 $
2 010	4,12490 $	8 291,05 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.

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