Name: IMW120R090M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IMW120R090M1HXKSA1-ND
Price: 13.98 CAD
Availability: InStock

Canal N 1200 V 26 A (Tc) 115W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-41

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IMW120R090M1HXKSA1
Numéro de produit DigiKey	IMW120R090M1HXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMW120R090M1HXKSA1
Description	SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	39 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 26 A (Tc) 115W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-41
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IMW120R090M1HXKSA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5,7V à 3,7mA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 21 nC @ 18 V
Série CoolSiC™	Vgs (max.) +23V, -7V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 707 pF @ 800 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 115W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 1200 V	Boîtier fournisseur PG-TO247-3-41
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 26 A (Tc)	Boîtier TO-247-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 18V	Numéro de produit de base IMW120
Rds On (max.) à Id, Vgs 117mohms à 8,5A, 18V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	13,98000 $	13,98 $
30	8,15833 $	244,75 $
120	6,87925 $	825,51 $
510	5,94208 $	3 030,46 $
1 020	5,70753 $	5 821,68 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.

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