Name: IMTA65R020M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMTA65R020M2HXTMA1TR-ND
Price: 20.19 CAD
Availability: InStock

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IMTA65R020M2HXTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMTA65R020M2HXTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IMTA65R020M2HXTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IMTA65R020M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMTA65R020M2HXTMA1
Description	SILICON CARBIDE MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 77 A (Tc) 416W (Tc)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IMTA65R020M2HXTMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 20V
Fabricant Infineon Technologies	Rds On (max.) à Id, Vgs 18mohms à 46,9A, 20V
Série CoolSiC™	Vgs(th) (max.) à Id 5,6V à 9,5mA
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 57 nC @ 18 V
Statut du composant Actif	Vgs (max.) +23V, -7V
Type de FET Canal N	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2038 pF @ 400 V
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Dissipation de puissance (max.) 416W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 77 A (Tc)