Canal N 1200 V 8,1 A (Tc) 80W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7-12
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Canal N 1200 V 8,1 A (Tc) 80W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7-12
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMBG120R234M2HXTMA1

Numéro de produit DigiKey
448-IMBG120R234M2HXTMA1TR-ND - Bande et bobine
448-IMBG120R234M2HXTMA1CT-ND - Bande coupée (CT)
448-IMBG120R234M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IMBG120R234M2HXTMA1
Description
SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
45 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 8,1 A (Tc) 80W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7-12
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
5,1V à 900µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
7.9 nC @ 18 V
Série
Vgs (max.)
+20V, -7V
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
290 pF @ 800 V
Statut du composant
Actif
Dissipation de puissance (max.)
80W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Montage en surface
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Boîtier fournisseur
PG-TO263-7-12
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
15V, 18V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
233,9mohms à 3A, 18V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 1 006
Vérifier les stocks entrants supplémentaires
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
Quantité Prix unitaire Prix total
18,04000 $8,04 $
105,33000 $53,30 $
1003,79490 $379,49 $
5003,37992 $1 689,96 $
* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 9,50 $.
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
1 0002,92923 $2 929,23 $
2 0002,76136 $5 522,72 $
Conditionnement standard du fabricant