Name: IMBG120R350M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R350M1HXTMA1TR-ND
Price: 10.29 CAD
Availability: OutOfStock

Canal N 1200 V 4,7 A (Tc) 65W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7-12

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IMBG120R350M1HXTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMBG120R350M1HXTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IMBG120R350M1HXTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IMBG120R350M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMBG120R350M1HXTMA1
Description	SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	54 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 4,7 A (Tc) 65W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7-12
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IMBG120R350M1HXTMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5,7V à 1mA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 5.9 nC @ 18 V
Série CoolSiC™	Vgs (max.) +18V, -15V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 196 pF @ 800 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 65W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 1200 V	Boîtier fournisseur PG-TO263-7-12
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,7 A (Tc)	Boîtier TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Rds On (max.) à Id, Vgs 468mohms à 2A, 18V	Numéro de produit de base IMBG120