Name: IGK120B041SXTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGK120B041SXTSA1TR-ND
Price: 1.16 CAD
Availability: InStock

Nouveau produit

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IGK120B041SXTSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IGK120B041SXTSA1TR-ND - Bande et bobine 448-IGK120B041SXTSA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IGK120B041SXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IGK120B041SXTSA1
Description	GANFET N-CH 40V 30A 16WLBGA
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	35 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 30 A (Tc) 1,2W (Ta), 15W (Tc) Montage en surface SG-UFWLB-16-2
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 12mohms à 5A, 5V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 2,9V à 3mA
Série CoolGaN™	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 4.4 nC @ 5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 290 pF @ 20 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1,2W (Ta), 15W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TJ)
Technologies GaNFET (nitrure de gallium)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Boîtier fournisseur SG-UFWLB-16-2
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30 A (Tc)	Boîtier 16-UFBGA, WLBGA
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V