Name: IAUTN15S6N038ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN15S6N038ATMA1TR-ND
Price: 9.43 CAD
Availability: InStock

Nouveau produit

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IAUTN15S6N038ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IAUTN15S6N038ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IAUTN15S6N038ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IAUTN15S6N038ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUTN15S6N038ATMA1
Description	MOSFET_(120V 300V)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 150 V 170A (Tj) 263W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IAUTN15S6N038ATMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 166µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 88 nC @ 10 V
Série OptiMOS™ 6 Power-Transistor	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6200 pF @ 75 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 263W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 150 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 170A (Tj)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 8V, 10V	Boîtier fournisseur PG-HSOF-8-1
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,8mohms à 85A, 10V	Boîtier 8-PowerSFN