Name: IAUTN15S6N025ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN15S6N025ATMA1TR-ND
Price: 12.85 CAD
Availability: OutOfStock

Nouveau produit

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IAUTN15S6N025ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IAUTN15S6N025ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IAUTN15S6N025ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IAUTN15S6N025ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUTN15S6N025ATMA1
Description	MOSFET_(120V 300V)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 150 V 245A (Tj) 357W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IAUTN15S6N025ATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 6 Power-Transistor
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	150 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	245A (Tj)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	8V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,5mohms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 270µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	139 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	9900 pF @ 75 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	357W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-HSOF-8-1
Boîtier	8-PowerSFN