Name: IAUCN08S7N045TATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN08S7N045TATMA1TR-ND
Price: 4.4 CAD
Availability: InStock

Nouveau produit

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IAUCN08S7N045TATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IAUCN08S7N045TATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IAUCN08S7N045TATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IAUCN08S7N045TATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUCN08S7N045TATMA1
Description	MOSFET_(75V 120V(
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 99A (Tj) 98W (Tc) Montage en surface PG-LHDSO-10-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IAUCN08S7N045TATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 7
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	99A (Tj)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	7V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	4,54mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,2V à 36,5µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2376 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	98W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-LHDSO-10-1
Boîtier	10-LSOP (0,216po, 5,48mm de large) plot exposé