GS66502BMRXUSA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

GS66502BMRXUSA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Infineon Technologies

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Prix unitaire : 3,90000 $

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GS66502BMRXUSA1
Numéro de produit DigiKey	448-GS66502BMRXUSA1TR-ND - Bande et bobine 448-GS66502BMRXUSA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-GS66502BMRXUSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	GS66502BMRXUSA1
Description	GS66502B-MR
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 7,5 A (Tc) Montage en surface
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 260mohms à 2,25A, 6V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 2,6V à 1,75mA
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 1.6 nC @ 6 V
Statut du composant Obsolète	Vgs (max.) +7V, -10V
Type de FET Canal N	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 60 pF @ 400 V
Technologies GaNFET (nitrure de gallium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7,5 A (Tc)	Boîtier 3-SMD, sans plomb
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V