Name: GS66502BMRXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-GS66502BMRXUSA1TR-ND
Price: 17.39 CAD
Availability: InStock

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GS66502BMRXUSA1
Numéro de produit DigiKey	448-GS66502BMRXUSA1TR-ND - Bande et bobine 448-GS66502BMRXUSA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-GS66502BMRXUSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	GS66502BMRXUSA1
Description	GS66502B-MR
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 7,5 A (Tc) Montage en surface
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Date de dernière disponibilité
Type de FET	Canal N
Technologies	GaNFET (nitrure de gallium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	7,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V
Rds On (max.) à Id, Vgs	260mohms à 2,25A, 6V
Vgs(th) (max.) à Id	2,6V à 1,75mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	1.6 nC @ 6 V
Vgs (max.)	+7V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	60 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	-
Boîtier	3-SMD, sans plomb