Name: AIMBG120R030M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMBG120R030M1XTMA1TR-ND
Price: 24.58 CAD
Availability: InStock

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AIMBG120R030M1XTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-AIMBG120R030M1XTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-AIMBG120R030M1XTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-AIMBG120R030M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	AIMBG120R030M1XTMA1
Description	SICFET N-CH 1200V 70A TO-263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 70 A (Tc) 333W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7-12
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 57 nC @ 20 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) +23V, -5V
Série CoolSiC™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1738 pF @ 800 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 333W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 1200 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 70 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO263-7-12
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 18V, 20V	Boîtier TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Rds On (max.) à Id, Vgs 38mohms à 27A, 20V	Numéro de produit de base AIMBG120
Vgs(th) (max.) à Id 5,1V à 8,6mA