
SQJ431AEP-T1_GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SQJ431AEP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQJ431AEP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQJ431AEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQJ431AEP-T1_GE3 |
Description | MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 23 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 200 V 9,4 A (Tc) 68W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SQJ431AEP-T1_GE3 Modèles |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 85 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3700 pF @ 25 V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Dissipation de puissance (max.) 68W (Tc) |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 200 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 305mohms à 3,8A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 250µA |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SQJ431AEP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | 3 483 | 742-SQJ431AEP-T1_BE3CT-ND | 3,90000 $ | Équivalent paramétrique |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,90000 $ | 3,90 $ |
| 10 | 2,50100 $ | 25,01 $ |
| 100 | 1,70500 $ | 170,50 $ |
| 500 | 1,36430 $ | 682,15 $ |
| 1 000 | 1,25476 $ | 1 254,76 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,11574 $ | 3 347,22 $ |
| 6 000 | 1,04582 $ | 6 274,92 $ |
| 9 000 | 1,01761 $ | 9 158,49 $ |











