GT700P08T
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GC20N65T

Numéro de produit DigiKey
3141-GC20N65T-ND
Fabricant
Goford Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
GC20N65T
Description
N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
8 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 20 A (Tc) 151W (Tc) Trou traversant TO-220
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Goford Semiconductor
Série
SuperJunction
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
20 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
170mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1724 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
151W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220
Boîtier
TO-220-3
Questions et réponses sur les produits

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En stock: 22
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
15,71000 $5,71 $
502,89220 $144,61 $
1002,61980 $261,98 $
5002,14272 $1 071,36 $
1 0001,98949 $1 989,49 $
2 0001,90035 $3 800,70 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.