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Produit marketplace
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
DID3A2N65 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 4878-DID3A2N65-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | DID3A2N65 |
Description | MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251-3 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 7 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 3,2 A (Tc) 54W (Tc) Trou traversant TO-251 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | DID3A2N65 Modèles |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | - | |
Conditionnement | En vrac | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 650 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 2,6ohms à 2A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 25 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±30V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 581 pF @ 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 54W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Trou traversant | |
Boîtier fournisseur | TO-251 | |
Boîtier |
0 en stock
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
En vrac
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,29000 $ | 1,29 $ |
| 75 | 0,54613 $ | 40,96 $ |
| 150 | 0,48340 $ | 72,51 $ |
| 525 | 0,39387 $ | 206,78 $ |
| 1 050 | 0,35501 $ | 372,76 $ |
| 2 025 | 0,32388 $ | 655,86 $ |
| 5 025 | 0,28839 $ | 1 449,16 $ |
| 10 050 | 0,26626 $ | 2 675,91 $ |
| 50 025 | 0,24048 $ | 12 030,01 $ |
Canada