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DI006N06PW-AQ
Diotec Semiconductor
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Fiche technique
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Canal N 65 V 6 A (Ta) 1,67W (Ta) Montage en surface 6-QFN (2x2)
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DI006N06PW

Numéro de produit DigiKey
4878-DI006N06PW-ND
Fabricant
Diotec Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
DI006N06PW
Description
MOSFET N-CH 65V 6A 6-POWERUDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
8 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 65 V 6 A (Ta) 1,67W (Ta) Montage en surface 6-QFN (2x2)
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
DI006N06PW Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Diotec Semiconductor
Série
-
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
65 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
6 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
20mohms à 6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
403 pF @ 30 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1,67W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
6-QFN (2x2)
Boîtier
6-PowerUDFN
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Quantité
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En vrac
Quantité Prix unitaire Prix total
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Conditionnement standard du fabricant