Name: ZXMN3B04N8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN3B04N8TR-ND
Price: 3.17 CAD
Availability: InStock

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ZXMN3B04N8TA
Numéro de produit DigiKey	ZXMN3B04N8TR-ND - Bande et bobine ZXMN3B04N8CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	ZXMN3B04N8TA
Description	MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 7,2 A (Ta) 2W (Ta) Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 700mV à 250µA (min)
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 23.1 nC @ 4.5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Vgs (max.) ±12V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2480 pF @ 15 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 2W (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7,2 A (Ta)	Boîtier fournisseur 8-SO
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2,5V, 4,5V	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Rds On (max.) à Id, Vgs 25mohms à 7,2A, 4,5V	Numéro de produit de base ZXMN3